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HX1M040065D SIC MOSFET

Part NO.HX1M040065D
VDS = 650 V
ID(TC=100℃) = 40 A
RDS(on) =40 mΩ
產品詳情
中瑞(rui)宏(hong)芯(xin)碳(tan)化硅MOSFET產(chan)品覆蓋650V-1700V電(dian)壓等級并提供從20 m?-1?等多種規(gui)格，主要(yao)封裝形式為TO247-3L、 TO247-4L及其(qi)他工業領域常見封裝。SiC MOSFET以(yi)其(qi)低(di)導(dao)通電(dian)阻和緊湊(cou)的(de)芯(xin)片尺寸確保(bao)了較低(di)的(de)電(dian)容和柵極電(dian)荷。SiC的(de)特(te)性消除了開關(guan)(guan)期間的(de)拖尾電(dian)流，使得操作更(geng)迅速(su)并減少了開關(guan)(guan)損耗。 

SIC MOSFET選型表
Product VR(V) PKG ID(A) @100℃ Ron(mΩ) @25℃ Vth(V)
HX1M040065D 650 TO-247-3L 40 40 2.7
HX1M040065K 650 TO-247-4L 40 40 2.7
HX1M160120D 1200 TO-247-3L 10 160 2.7
HX1M160120K 1200 TO-247-4L 10 160 2.7
HX1M080120D 1200 TO-247-3L 28 80 2.9
HX1M080120K 1200 TO-247-4L 20 80 2.7
HX1M080120J 1200 TO-263-7L 20 80 2.7
HX1M040120D 1200 TO-247-3L 40 40 2.7
HX1M040120K 1200 TO-247-4L 40 40 2.7
HX1M040120J 1200 TO-263-7L 40 40 2.7
HX1M018120D 1200 TO-247-3L 75 18 2.7
HX1M018120K 1200 TO-247-4L 75 18 2.7
HX1M022120D 1200 TO-247-3L 57 22 2.8
HX1M022120K 1200 TO-247-4L 57 22 2.8
HX1M1000170D 1700 TO-247-3L 2 1000 2.7
HX1M1000170J 1700 TO-263-7L 2 1000 2.7

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