碳化(hua)硅二(er)極管具有(you)開關頻率高和正向(xiang)壓降低(di)，反向(xiang)電(dian)流恢復快的(de)優點，SIC MOSFET可以(yi)應用在(zai)很(hen)多(duo)大電(dian)流設備當中，但碳化(hua)硅MOS管的(de)反向(xiang)擊穿電(dian)壓比較低(di)，它(ta)的(de)應用范圍(wei)也被(bei)限制了。
現在(zai)碳(tan)化硅MOS管(guan)的(de)快速應(ying)用(yong)是因為(wei)同類產品UFRD的(de)反向恢復(fu)時(shi)間(jian)較慢，無法(fa)滿足高級領域的(de)1MHz～3MHz的(de)SMPS需(xu)要，而且UFRD的(de)導通損耗(hao)與開關(guan)損耗(hao)過大，需(xu)要采用(yong)低損耗(hao)的(de)碳(tan)化硅MOS管(guan)來做替代。近幾(ji)年，SBD的(de)技術取(qu)得了突(tu)破性(xing)的(de)發展(zhan)，使用(yong)新(xin)型材料制作的(de)SBD性(xing)能(neng)參數更(geng)好，為(wei)新(xin)應(ying)用(yong)注(zhu)入了全(quan)新(xin)的(de)生機(ji)與活力。
肖特基二極(ji)管(guan)有(you)優點也有(you)缺(que)點，肖特基二極(ji)管(guan)的反向偏(pian)壓(ya)較低還有(you)反向漏(lou)電流比普通二極(ji)管(guan)大，反向偏(pian)壓(ya)額定耐壓(ya)水平最高(gao)只到 50V，而反向漏(lou)電流值為正(zheng)溫度(du)變(bian)化特性，容易因為隨著環境溫度(du)不(bu)斷升(sheng)高(gao)而急速增加升(sheng)高(gao)，在設計(ji)上要(yao)尤其注意熱失控的隱憂。
